1.拉单晶
拉单晶是从熔体中生长单晶体的工艺，主流为直拉法（CZ 法），这是制造半导体硅片的核心技术 。
2. 磨外圆
把不规则硅棒磨削成直径精准、全长均匀的标准圆柱体。
3. 切片
硅单晶切片，就是把直拉 / 区熔硅单晶棒加工成薄硅片（光伏硅片、半导体晶圆毛坯片）的核心工序，行业简称切片（Slicing）。
4. 倒角
晶棒多线切片之后，晶圆侧边形成尖锐直角；晶圆倒角就是利用成型金刚石磨轮，磨削去除晶圆上下表面与侧面相交的锐利棱角，把边缘加工成指定轮廓（R 圆弧型 / T 梯形）。
5. 磨削/研磨
硅晶圆原始厚度：775 μm（300mm 硅片）/625μm（200mm）；前道做完电路之后，需要磨削背面硅基底，把晶圆减薄，满足封装散热、堆叠、超薄芯片需求。
6. CMP抛光
CMP 俗称化学机械平坦化，是集成电路制造唯一可实现整片晶圆全局平坦化的核心工艺。 多层薄膜沉积、刻蚀后晶圆表面形成高低台阶；如果不做平坦化，光刻景深不足、图形偏移，造成短路断路。90nm 及以下先进制程必不可少。
